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  • 内存和闪存价格崩盘之下,利润腰斩的三星又迎来日本制裁新困局?

    内存和闪存价格崩盘之下,利润腰斩的三星又迎来日本制裁新困局?

    2019-07-12
    三星并非一夜成功的幸运儿,在发现并打造世界一流的质量、设计、创新能力之前,在从追随者到王者的艰苦跋涉路途中,三星经历了长期的艰苦和磨难。 7月5日,三星电子发布第2季初步财报,营收为56万亿韩元,盈利为65000亿韩元,与去年同期相比下滑幅度高达56.29%,结合前一季计算的话,三星电子上半年营益达12万亿7300亿韩元,和去年同期(30万亿5100亿韩元)相比,更是下滑58.28%,减少超过一半。 此外,针对半导体部门,据韩国证券业分析,去年第2季半导体部门的盈利为116000亿韩元,本季盈利应只达3万亿韩元左右,缩减高达70%以上。 三星利润腰斩背后:成也存储,败也存储 “登王位不难,守王位难”,于三星也是如此。 三星、SK海力士、美光在DRAM产业的市占率达到90%以上,其中,韩国企业三星、SK海力士在DRAM产业的市占率达到70%以上,三星在内存市场的表现相当强劲。 随着2017、2018年内存和闪存价格大涨,使得三星赚到盘满钵满,成功登顶全球半导体厂商营收榜单之首,一时风光无两。 然而,近年来国际贸易纠纷日益加深,企业对半导体整体需求下滑,加之内存产品供过于求,内存和闪存价格崩盘,存储产品价格持续下滑,三星的收益随之大幅下降。 分析三星内存收入大跌的原因,大致如下: 其一,PC、手机厂商是三星半导体的“衣食父母”,一荣俱荣一损俱损,PC、手机行业面临寒冬,三星自然也不好过。其中,华为作为三星的大客户,由于海外销量不乐观,三星供应给华为的记忆体芯片出货量下滑,芯片供应过剩进而又造成价格下滑,令三星业务雪上加霜; 其二,由于中国内存颗粒产业的逐渐崛起,三星只能被迫降价,以保优势和垄断地位; 其三,由于即将要进入DDR5、UFS3.0的全新时代,消费者和厂商大多在观望,各方的购买欲望都不强。所以三星要控制产量,同时清理库存,利润自然受到影响。 芯片业务为三星带来的利润超过三分之二,而现如今,智能手机市场饱和以及内存产品的需求下降均拉低了芯片价格。截至目前,DRAM价格快速下跌的态势并未改变,第2季度价格跌幅近三成,预计第3季度会继续下跌约两成,第4季会再下跌10%。由于目前产品库存仍高,因此降价求售是韩系厂商必须采取的策略,也因而影响韩系厂商营收表现。 但有业内人士表示,内存市场需求正在升温,需求停滞了几个月的北美服务器市场、消费电子及PC产品均可能出现大规模的备货需求,因此下半年内存市场可能会恢复增长。 但同时也有些人预测,DRAM和NAND内存芯片的库存将继续过剩,这将把该行业的复苏推迟到2020年下半年。2019年2季度是三星近三年来最差的季度获利,在整体电子业市场不景气的情况下,供应过剩局面仍无改善,三星获利回升可能还要等上数季。 一波未平,一波又起 日、韩原有二战遗留至今的慰安妇和征用工等历史旧恨,加上南韩持续限制日本福岛核灾食品进口等种种新仇,两国关系愈来愈差。 日本首相安倍晋三也可能从美国总统川普身上得到灵感,面对外交政治上的争议,干脆透过打击竞争对手的核心产品,进行经济惩罚或报复。 日本与南韩因二战劳工赔偿问题僵持不下,日本经济产业省在7月的第一天便宣布,4日起对出口到南韩半导体的原料加强管制。据报道,日方此次限制对韩出口的半导体材料主要是高纯度氟化氢、抗蚀剂、氟聚酰亚胺,是智能手机、芯片等产业的重要原材料,韩国企业对这三类日本进口材料的依赖度分别达43.9%、91.9%和93.7%。 纵观日本半导体产业发展史,日本的崛起受到了美国的照顾,但崛起后的日本随着自身实力的增强,先后与美国爆发过多次科技战。基于日本“玩火”的经历,美国开始扶持韩国的半导体产业,并在关税和政策照顾上让韩国吃下了日本不少高科技产业及产品。 2000年后,美国成为了世界互联网中心而再次辉煌,日本则只能做美国在互联网话语权之外的生意,而韩国依托着美国的崛起,实现了自我发展上的经济奇迹。 日本让给韩国高科技产业后,并未完全退出,而是在韩国的崛起光芒中选择了向上游进发,今天的韩国科技产业对日本依赖很大,甚至日本才是手机产业及科技硬件领域的隐形寡头。 日本和韩国这对矛盾重重的老冤家和新对手,最终走向了贸易战争的新台面。 日本限制出口韩国的材料将影响韩国的半导体及面板两大支柱产业。日本政府要求三个月的审查许可,但通常南韩厂商可能只有一到两个月的原料库存,最多只能支撑四个月,半导体生产线就要停工。 但是,日本半导体产业目前正处于发展衰退期,生产半导体材料及零部件的日本企业主要依靠对韩出口来维持运营,这时候限制对韩出口,很可能会导致日本企业出现产能和投资过剩。如果韩国进行反制,限制日本零部件的出口,日本相关产业会面临巨大压力。 但不利影响并不止于日韩双方。韩国专家表示,韩国企业不仅是日本半导体材料的消费者,同时也是全球存储芯片和显示器面板的核心提供者,如果因为材料进口受限导致生产受阻,将对全球供应链带来深远影响。 《日本经济新闻》也发表评论称,近年来,全球通商方面的制裁与反制裁措施不断增多,严重威胁世界经济前景。在这种打击与还击的连锁反应中,没有真正的胜者。 目前韩国日本之间的纠纷还没摆平,日本制裁对韩国的存储芯片产业影响会很大,导致三星电子等品牌的内存业务面临新的难题,对全球NAND闪存市场来说也将是一场灾难。 更是对于还未走出内存价格持续下跌、手机市场不景气,以及利润大幅下降阴霾的三星,是一场新一轮的巨大冲击。 据国外媒体报道,三星集团实际决策者李在镕紧急出国前往日本,将与有生意往来的日本材料厂商主管见面,商讨对策,可能会请日本的交易厂商从日本以外的工厂出货到韩国。此举缘于半导体原材料库存仅能支撑几周的生产任务,事态比预想的要更加严重。 此外,据Koreatimes报道称,三星等韩国大厂正在努力为芯片制造的关键材料寻找新的供应来源;另一方面,韩国产业通商资源部决定对半导体材料、零部件、设备研发加大投入预算。 但是,无论是采用多元化资源的方式,还是加大投入完善供应链体系,都在短时间内无法解决目前所处的困境。在市场影响持续发酵下,无论是三星、SK海力士、LG,还是半导体、消费类电子等领域,接下来面临的挑战将更大,而三星的应对措施或策略变化都将牵动着存储产业链的神经。 了解日韩两国科技发展过程的人士不难看出,这场贸易制裁事件的起因,表面来看仅仅是韩国法院对日本企业强制赔偿“韩国劳工”的裁决,该裁决要求日本公司赔偿韩国在第二次世界大战期间对强迫劳动的补偿。而更深的原因,则是日韩崛起背后,深埋于科技产业链条的利益之争。 三星的王位能否保住? 三星并非一夜成功的幸运儿,在发现并打造世界一流的质量、设计、创新能力之前,在从追随者到王者的艰苦跋涉路途中,三星经历了长期的艰苦和磨难。 面对如今内存和智能手机市场的疲软状态以及不稳定的国际贸易关系,季度利润腰斩之下,三星急需寻求新的业务增长点。 一方面,相较三星电子半导体事业,其他部门防守相对出色。特别是第1季首次出现亏损的显示器部门,第2季得益于中国智能手机企业OLED屏幕需求增加,本季营益扭亏为盈达5000亿韩元,是三星电子死守在6万亿韩元的功臣之一。 与上半年相比,曲面OLED的需求量将在下半年大幅增加,第2季的开工率约达100%。因此,显示器部门在下半年有望提高三星电子...
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  • 英特尔携手汽车行业领军企业发布自动驾驶安全框架

    英特尔携手汽车行业领军企业发布自动驾驶安全框架

    2019-07-08
    近日,英特尔联合十家从事汽车制造和自动驾驶技术研发的行业领军企业,共同发布《自动驾驶安全白皮书》。这份白皮书提出“自动驾驶安全第一”框架,该框架以英特尔的责任敏感安全模型(RSS)为基础,能够为安全的自动驾驶汽车的设计、开发、验证和确认等各阶段提供指导。 “实现安全且负责的自动驾驶的未来,其关键所在,就是围绕自动驾驶汽车安全性开展行业协作。通过建立框架,来保障自动驾驶汽车的安全,是一项具有开创性意义的工作,我们很荣幸能参与其中并做出贡献。与此同时,我们也期待,与更多的行业伙伴,围绕这一综合性框架以及英特尔的RSS模型,开展广泛合作。” ——英特尔资深首席工程师兼英特尔子公司Mobileye自动驾驶汽车标准副总裁Jack Weast 设计能够有效保障安全的自动驾驶汽车,是提升道路交通自动化水平的关键所在。“自动驾驶安全第一”框架广泛汇集了来自全球主要汽车制造商、供应商及技术提供商的专业知识和经验,首次为汽车行业开发设计安全的自动驾驶汽车提供了全面指导。 此次发布的白皮书,主要由十二条安全自动驾驶汽车的指导原则以及践行该原则的必要步骤所构成。每一条原则均细化了安全的自动驾驶汽车所必备的一系列功能,并由此推导出了实现这些功能所必需的安全要素。其中,英特尔的RSS模型在“驾驶规划要素”的部分得到了重点强调。这一要素能够支持汽车制造商“创建一种零碰撞且合法的驾驶方案”,作为理解、预测和管理自动驾驶汽车行为方式并确保其遵守道路规则的一种手段,体现出了安全自动驾驶的最高原则。 “利用自动驾驶技术来减少因交通事故而导致的伤亡”,这一共同愿景已经在全行业催生出多种多样的自动驾驶设计思路。“自动驾驶安全第一”框架将诸多各有千秋的设计思路,调和成了连贯的整体,并提炼出了优秀、安全的设计方法,而RSS从中发挥了重要作用。 RSS模型于2017年提出,旨在为汽车行业提供一个“技术中立”的出发点,进而使全行业能够就自动驾驶汽车安全的具体定义与内涵达成一致。RSS将人们对安全驾驶的概念具化为一个可验证的模型,该模型具有逻辑上可验证的规则,并为自动驾驶汽车的决策提供了一个“安全范围”。 “自动驾驶安全第一”框架将进一步推动RSS在全球范围内的推行和部署。目前,该模型已经获得了科技行业领军者百度、汽车零部件供应商法雷奥*以及标准机构中国智能交通协会等组织的支持。 ——转载自:因特尔
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  • 三星7nm EUV量产在即 众大厂纷纷放弃台积电

    三星7nm EUV量产在即 众大厂纷纷放弃台积电

    2019-07-05
    台积电凭借抢先占领7nm高点,几乎吸引了全球科技企业的代工订单,比如苹果、高通、华为、AMD、NVIDIA等。但是随着三星的7nm EUV工艺即将在明年1月实现正式的量产,一些客户也跑了台积电,转投三星的阵营,看来三星开出了更好的价格。 随着NVIDIA宣布7nm GPU由三星代工,三星在晶圆代工市场上总算又拉来一个客户,如果算上之前的IBM Power 10以及传闻中的高通骁龙865订单,再加上三星自己的7nm Exynos芯片,三星在7nm节点总算有所收获了。 三星7nm EUV量产在即 与台积电相比,三星在7nm及未来的5nm节点上确实还要落后,主要是时间进度上,台积电的7nm去年都量产了,海思、苹果、赛灵思以及现在的AMD都是台积电7nm的大客户。 与台积电相比,三星在7nm及未来的5nm节点上确实还要落后,主要是时间进度上,台积电的7nm去年都量产了,海思、苹果、赛灵思以及现在的AMD都是台积电7nm的大客户。 日前三星在韩国又举行了新一轮晶圆代工制造论坛会议,参与的人数比之前多了40%,超过500多名无晶圆厂芯片客户与会,副总晶圆代工业务的三星副总裁Jung Eun-seung公布了三星在半导体制造工艺上的进展。 根据他的消息,三星今年9月份将完成韩国华城的7nm EUV工艺生产线,明年1月份量产。 在7nm之后,三星还将推出5nm FinFET工艺,目前已经完成了技术研发,而且5nm被视为是最后一代FinFET工艺。 在之后的重大节点就是3nm了,三星率先公布了3nm节点将使用GAA环绕栅极晶体管技术,三星通过使用纳米片设备制造出了MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET,多桥-通道场效应管),该技术可以显著增强晶体管性能,主要取代FinFET晶体管技术。 值得注意的是,三星召开会议的这几天里,日本突然宣布制裁韩国,限制日本半导体材料、OLED显示面板材料的对韩出口,7月4日也就是今天起正式施行。 日本限制出口的材料主要用于半导体芯片及显示面板生产,即便是三星也要依赖日本供应商,所以这件事可能对三星影响很大。 目前三星官方尚未对此事发表评论,不过韩国总统国家安全办公室副主任金贤重日前会见了三星副董事长金基南,讨论日本的制裁及应对措施。 ——转载自:中关村在线
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  • 当芯片工艺制程进入到2nm节点之后,摩尔定律还会如何继续?

    当芯片工艺制程进入到2nm节点之后,摩尔定律还会如何继续?

    2019-07-01
    芯片制程工艺的升级从90nm、65nm、45nm、32nm、22nm、14nm到现在的10nm、7nm(其中XX nm指的是,CPU的上形成的互补氧化物金属半导体场效应晶体管栅极的宽度,也被称为栅长。),数十年来,电子产业一直循“摩尔定律”(Moore’s law)所设定的开发蓝图——晶片上可容纳的电晶体数量大约每隔两年增加1倍。目前工艺节点的现状是,摩尔定律逐渐放缓,英特尔在今年才正式进入到10nm时代,将在后年转入7nm,而这比原定计划最少也要晚了两年。而且权威的国际半导体机构已经不认为摩尔定律的缩小可以继续下去了,比如ITRS宣布不再制定新的技术路线图。摩尔定律这位“花甲老人”真的走不动了吗?我看未必。 摩尔定律真的放缓了吗? 摩尔定律真的放缓了吗?可是笔者看到另一番景象,三星和台积电等厂商异常活跃,怎么都感觉它们正上演着一场场制程工艺“谁比谁先进”的争夺战。世界上能够玩转7纳米、5纳米甚至是3纳米芯片制造工艺的企业也就他们两家了。即使摩尔定律有所放缓,但并不意味着将失效。 今年台积电和三星已经相继宣布成功研发出了5nm工艺,并表示将会在明年投入量产。在此之后,三星率先发布自家3nm进度,号称2021年将以3nm超越对手;而台积电计划跳过3nm,直接研发2nm的工艺制程,开始极限操作,预计2024年投产。三星与台积电斗得难解难分。对他们来说,制程工艺上的胜负或许就是拉开差距的关键。看来,对于芯片制程工艺的探索,大厂商们还都没打算就此停下。 根据Imec预测,半导体工艺特征尺寸在接下来几个节点会继续以个位数纳米微缩,但在2纳米节点的40纳米闸极长度与16纳米金属间距之后,恐怕不会再往下缩小。如果这样,可能导致芯片性能无法因应最高端应用需求。那些最渴望芯片性能提升的业者,会愿意从FinFET晶体管转向更小巧的纳米片架构;而那些专注于为移动装置应用缩小芯片占位面积以及功耗的IC厂商,或许会希望能“赖”着FinFET有多久是多久。 纳米片(NS)结构晶体管性能预期在未来的每一个节点都会超越FinFET (FF)。(如下图) 一些物理学家,甚至是提出了摩尔定律的戈登·摩尔本人,都认为摩尔定律将在2020年左右失效。可是,国际大厂三星与台积电不但没停止对芯片制程工艺的继续探索,而且还正上演着一场先进制程的争夺战。。。 新思科技的Munoz表示,到了未来的技术节点,间距微缩将减缓至每世代约0.8倍左右。当间距微缩至2nm之时,都还可采用硅晶体作为半导体材料,而在2nm之后,可能会开始使用石墨烯。 1nm工艺技术与设备已出现,是否能量产还未知 早在2016年10月,劳伦斯伯克利国家实验室(Lawrence Berkeley National Laboratory)宣布,研究人员已经成功研发出了尺寸仅有1纳米的晶体管。这个1nm晶体管由纳米碳管和二硫化钼(MoS2)制作而成。MoS2将担起原本半导体的职责,而纳米碳管则负责控制逻辑门中电子的流向。另外,美国布鲁克海文国家实验室 (Brookhaven National Laboratory,简称BNL) 的研究人员在2017年5月宣布,开发出可以达成1纳米工艺的相关技术与设备。布鲁克海文实验室的1nm工艺跟目前的光刻工艺有很多不同,比如使用的是电子束而非激光光刻,所用的材料也不是硅基半导体而是PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)之类的,下一步他们打算在硅基材料上进行尝试。 已经出现的1nm工艺技术与设备,因为与目前的半导体工艺技术存在明显的差异,所以都不会很快投入量产。 英特尔技术长Mike Mayberry主张:“…摩尔定律仍持续有效,只是以各种功能、架构搭配组合(mix-and-match)的功能演进,以因应数据的泛滥。” 摩尔定律究竟会如何继续——从材料入手? 台积电表示,预计2024年量产2nm工艺,如果能够成功量产,那么意味着半导体生产技术在现有的条件下降逼近物理极限。未来是继续优化还是走向其他路线,都要由2nm技术实现的进度来定。 当工艺制程突破物理极限之后,再想寻求新的制造技术就不能单纯的从减小栅长上做文章了,毕竟已经小到了2nm。在这样的情况下,只能从材料上入手,通过改变材料从而改变特性,进而再有所突破。 为了尽可能地延续摩尔定律,有效地避免半导体产业整体下滑。科研人员也在想尽办法,比如寻求硅的替代材料。学术界五花八门的各种新材料新技术,石墨烯晶体管,隧穿晶体管,负电容效应晶体管,碳纳米管,等等。这些我们都可以看作是拯救摩尔定律的组合拳。 1.GaN、SiC 目前最热的第三代半导体GaN、SiC已经能够规模量产,且被视为摩尔定律的后继力量,凭借其宽禁带、高热导率、高击穿电场、高抗辐射能力等特点,在许多应用领域拥有前两代半导体材料无法比拟的优点,有望突破第一、二代半导体材料应用技术的发展瓶颈,市场应用潜力巨大。 2.石墨烯 石墨烯被视为是一种梦幻材料,它具有很强的导电性、可弯折、强度高,这些特性可以被应用于各个领域中,甚至具有改变未来世界的潜力,也有不少人把它当成是取代硅,成为未来的半导体材料。但是真正把它应用于半导体领域,还需要克服不少的困难。 其一,因为石墨烯本身的导电性能太好,它没有能隙,也就是只能开,而不能关,这样是不能实现逻辑电路的。如果要利用石墨烯来制造半导体器件,需要在不破坏石墨烯本身特有的属性下,在石墨烯上面植入一个能隙。目前已经有不少针对这方面的研究,但要真正解决这个问题还有待时日。 其二,因为石墨烯边缘的六元环并不稳定,容易形成五元环或七元环,往往获取的石墨烯是多个畸形环所连成的多晶,从而影响本身的特性,这样生产出来的石墨烯就丧失了作为材料的意义了。 3.硅烯 因为硅和碳具有相似的化学性质,研究人推测硅原子也可以像石墨烯那样,原子呈蜂窝状排列,形成硅烯这种物质。硅烯相比于石墨烯的重要不同,就是硅烯拥有可以实现逻辑电路所必要的能隙。 在空气中,硅烯具有极强的不稳定性,即使在实验室中,硅烯的保存时间也很短。如果要制作硅烯晶体管,还需要尝试通过添加保护涂层等手段,保证硅烯不会变性,才可能应用于实际当中。可见硅烯的应用面临着重重困难,但它仍然有赶超老大哥石墨烯,成为理想的半导体材料的希望。 4.碳纳米管 碳纳米晶体管是由碳纳米管作为沟道导电材料制作而成的晶体管,其管壁只有一个原子厚,这种材料不仅导电性能好,而且体积能做到比现在的硅晶体管小100倍。另外,碳纳米晶体管的超小空间使得它能够快速改变流经它的电流方向,因此能达到5倍于硅晶体管的速度或能耗只有硅晶体管的1/5。 但按照传统的做法,碳纳米管内通常会混杂一些金属纳米管,但是这些金属纳米管会造成电子装置短路,从而破坏碳纳米管的导电性能。大概在2016年九月左右,威斯康星大学麦迪逊分校的研究人员另辟蹊径,他们利用聚合物取代了几乎所有的金属纳米管,将金属纳米管的含量降到0.01%以下,这样的做法大大提升了导电性能。 北京大学电子系教授彭练矛带领团队也于2017年初就成功使用新材料碳纳米管制造出芯片的核心元器件——晶体管,其工作速度3倍于英特尔最先进的14纳米商用硅材料晶体管,能耗只有其四分之一。 5.二硫化钼 二硫化钼和碳纳米管一起已被劳伦斯伯克利国家实验室用来成功研发1纳米工艺,不同...
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  • 艾迈斯在上海MWC上展示用于可穿戴设备、家居/建筑、物联网、移动和消费类设备的传感解决方案

    艾迈斯在上海MWC上展示用于可穿戴设备、家居/建筑、物联网、移动和消费类设备的传感解决方案

    2019-06-24
    全球领先的高性能传感器解决方案供应商艾迈斯半导体(ams AG,瑞士股票交易所股票代码:AMS)将在2019年上海世界移动通信大会(MWC)上展示用于可穿戴设备、家居/建筑、物联网、移动和消费类设备的行业领先技术,此次大会将于2019年6月26-28日在上海新国际展览中心(SNIEC)举办。 艾迈斯半导体客户将会体验到面向各种应用的突破性传感器解决方案:颜色和光谱传感、包括数字主动噪声消除(ANC)在内的增强听觉、3D光学传感和微型图像传感。 艾迈斯半导体将在本次MWC大会上介绍其先进的新一代数字增强听觉技术。该技术是艾迈斯半导体无线耳塞解决方案的一部分,可帮助用户减少环境噪声,并同时提升语音和音乐的音质。艾迈斯半导体将是首家在开放式和封闭式耳塞应用并展示这一技术的公司。 领先的数字降噪技术和自然或增强透明模式相结合,将彻底改变我们听音乐、接听语音电话的体验,甚至改变我们对周围世界的体验。 这项技术让移动设备OEM能够设计市场领先的数字降噪和听觉解决方案,包括更加舒适的真无线耳塞,同时为最终客户提供灵活性,让他们能够将所需的降噪等级和/或透明度自由结合起来。 简而言之,这项技术具备高性能、低功耗的特点,并缩小了系统占用面积,因而非常适合真无线耳塞、蓝牙立体声耳罩式耳机/入耳式耳机以及Lightning/USB-C头戴式耳机。 “中国一直是艾迈斯半导体的重要战略市场。物联网应用的深入发展和中国传统行业的数字化转型为传感器技术发展带来了巨大的机遇。在上海MWC上,我们为中国的重点应用市场,如家居/建筑、物联网、移动和消费类设备,带来了突破性的传感器解决方案。”艾迈斯半导体首席执行官Alexander Everke表示,“我们正在大力投资,保持技术领先地位,继续加速在中国的应用创新。” 艾迈斯半导体在上海MWC上的“传感即生活”展览展示的针对不同行业的创新技术包括: • 无线耳塞解决方案 -数字增强听觉:为首次推出的开放式和封闭式耳塞减少噪声,同时在任何环境中对语音和音乐进行优化。 -POW:COM:双引脚充电和通信。连接到充电器底座的无线耳塞板样品展示。通过Android手机显示电量水平和蓝牙通信状态。 -光学入耳检测器:展示基于新TMD2635的无线耳塞解决方案,用于入耳检测。 -光学滑块概念:使用TMD2635作为无线耳塞的用户界面。 • 高性能颜色光谱传感解决方案:用于距离和颜色匹配、肤色和颜色测量以及CCT。 • VivaVita参考设计:用于7天* 24小时连续生命体征检测的可穿戴设备,包括预计将于2019年秋季推出的经过美国FDA审批的血压监测解决方案。 • MIRS:用于消费电子应用的红外光谱仪。 • ToF占位监测演示:基于笔记本电脑的演示,检测屏幕前面是否存在人/物体并唤醒笔记本电脑。 • TMF8701 1D ToF:使用嵌入TMF8701的客户手机,展示传感器,演示SL 3D面部识别过程的ToF模式以及用于袋内检测的Prox模式。 • TMF8801 ToF占位监测:激光检测自动对焦、距离测量、防撞系统。 • OLED屏后ALS和Prox:演示能够穿过显示屏的光传感器。屏幕亮度随不同的光源和光照条件而变化的ALS,以及关闭和打开显示屏的Prox。 • 自动白平衡演示:该“True-White”演示展示了TCS3430颜色传感器如何显著改善AWB算法以拍出更出色的白平衡照片。 • Seres(立体视觉平台):高通开发板上的Belago(点投影仪)、PMSILPlus(泛光照明器),在大屏幕上显示深度图以进行技术比较。 • Arolla (iToF):ToF和面部识别,包括PMD传感器模块的演示,在大屏幕上显示以进行技术比较。 • 智能照明> AS7221演示套件:使灯能够“感知”并适应周围环境,从而自主适应人类对照明和节能的需求。 • NanEye M:超小型数码摄像头,适用于医疗和工业等应用领域,如非常适合各种医用内窥镜、物联网和机器人应用的小尺寸产品。 • 与旷视科技的联合演示:包括Single Camera Skeleton、Super-image Quality、Video Camera Bokeh、Dollyzoom以及基于ToF的FaceID和支付。 ——转载自:艾迈斯半导体...
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